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TSV Reveal

硅穿孔露出(Via-Reveal)是三维集成电路(3D IC)技术中的关键处理步骤,包括晶体背部变薄露出铜互连。 SSEC已开发出一种低成本的采用集成测量的湿式蚀刻制程 ,这种制程可以进行厚度测量和终点检测。

 

金属剥离
在微机电系统和复合半导体应用中,材料剥离过程包括几个连续的步骤:微影、金属沉积和金属和非金属物质的溶剂剥离处理。 SSEC的WaferStorm平台可以转为执行该过程的连续浸泡、喷雾组合而设定。
 

 

TSV Clean
TSV的可靠性主要来自于清洗。 新型WaferStorm TSV Cleaner 是以溶剂为基础的系统,该系统使用专利浸泡和喷雾技术更快去除TSV侧壁聚合物残渣,而且与传统方法相比,成本较低。
 

 

厚膜剥离
在三维集成电路(3D ICs)和晶片级封装应用中,将应用于先进的微凸焊点制程中的厚膜光阻剂移除是一个挑战。 SSEC的WaferStorm厚膜去除剂结合高温化学和独创浸泡方法, 在高压下喷除,可快速去除厚膜残留物。
 

 

助焊剂清洗
在先进封装中,清洗对于晶圆凸及接合成型(join formation)来说都是非常关键的,因为它可以清除氧化层以及其它焊接材料所残留的杂质,以确保下一个组装工序的金属界面清洁。 SSEC在WaferStorm平台上的专利浸泡-喷雾技术特别适合清除冲洗残留物。
 

 

深孔电镀
全密闭单片式式电镀腔体,有效隔绝镀液与空气的接触;有利于今后使用无氰镀液;
环状电极,给用户更好的电镀均匀性;
镀液喷涌搅拌装置,更有效的去处气泡问题,适用于大深宽比图形;
EEJA独立设计脉冲式电源,独立控制每个腔体电流密度和时间;
独特的前处理方式,更有效的润湿图形以利于镀液进入深孔深槽
适用于:
deep via
micro via